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描述
mmbt5551lt1g
两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
否
STMicroelectronics
PNP 集电极—基极电压
集电极—发射极最大电压
- 40 V 发射极 - 基极电压
- 6 V
直流集电极/Base Gain hfe
100 A
SMD/SMT
PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551LT1G
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ON Semiconductor
ONSEMI
6
97 kb
High Voltage Transistors